NXH350N100H4Q2F2P1G-R
部品番号：
NXH350N100H4Q2F2P1G-R
製品分類：
IGBT モジュール
製造業者：
onsemi
説明：
GEN1.5 1500V MASS MARKET
パッケージ：
Tray
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
PDF：
資料
仕様
- 部品ステータス Obsolete
- 実装タイプ Chassis Mount
- パッケージ / ケース Module
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 1 mA
- 输入 Standard
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1000 V
- 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- NTCサーミスタ Yes
- IGBTタイプ Trench Field Stop
- コンフィギュレーション Three Level Inverter
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 303 A
- パワー - 最大 592 W
- 入力容量（Cies）@ Vce 24.146 nF @ 20 V
- サプライヤーデバイスパッケージ 42-PIM/Q2PACK (93x47)
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.3V @ 15V, 375A